寬幅式電漿設備

DBD電極設計：電漿密度高。

可單機或線上模組化。

單電極設計。

屬間接式電漿。

反應氣體使用氮氣（N2）。

可適用各種片材、薄膜材料。

電極幅寬大。

保養及操作簡單方便。

電極擴充性高，處理速度快。

採水冷系統。

樣品離電極的距離約為< 5 mm。

一次處理平面樣品；可上下面清潔。

樣品離電極的距離約為< 5 mm。

反應氣體使用氮氣（N2/AR/HE）。

屬間接式電漿，無ESD。

電極幅寬：可依客戶需求設計，一般50~2000mm(若欲再寬可設計)

電漿穩定性、均勻度高。

一般可處理的速度為0.5至5 M/min。(依製程需求，可進一步討論)

LCM中的ITO LEAD清潔。 

晶圓（WAFER）的表面清潔。

TP、OLED、LCD前、後段製程玻璃或FILM基板之清潔。

各式電子或非電子元件的表面清潔，可適用於多種金屬或非金屬材料的處理(如PI、PET、PE、塑膠等)。

CELL、ARRAY、LCM段等各項清潔製程中玻璃基板之清潔。

表面改質之應用

素玻璃、ITO玻璃基板表面清潔及改質(如改善親水性)。